Bazı elementler ve bileşiklerinin floresans parametreleri ve FeySe1-xTex süperiletken ince filmlerin yapısal analizi

Abstract

Bu çalışmada Zr, Sb, Ta, W elementleri ve bu elementlere ait bazı bileşikler için K ve L kabuğuna ait X-ışını floresans tesir kesitleri, floresans verim ve şiddet oranları deneysel olarak ölçüldü. Bunun yanı sıra Radyo Frekans (RF) tekniğiyle üretilen süper iletken FeySe1-xTex ince filmlerin yüzey analizi XRD, texture XRD, SEM, direnç sıcaklık ölçümleri MPMS sistemleri, X-ışını şiddet oranları EDXRF ile ölçüldü. Numunelerin K ve L kabuğunu uyarmak için 50 mCi'lik bir 241Am radyoaktif kaynağından yayımlanan 59.543 keV'lik gama ışınları kullanıldı. Numunelerden yayımlanan karakteristik K ve L X-ışınları, rezolüsyonu 5.9 keV'da 150 eV olan Ultra-LEGe dedektörü ile sayıldı. Elde edilen deneysel değerler, hesapladığımız teorik değerler ve literatürde mevcut teorik, yarı-deneysel ve deneysel değerler ile karşılaştırılmıştır. Bu değerler arasında gözlemlenen farklılıklar, kimyasal etkiye ve çoklu iyonizasyon etkisine göre açıklanmıştır. In this study, K and L X-ray production cross sections, fluorescence yields, intensity ratios were measured for the element and their compounds of Fe, Se, Zr, Sb, Ta, W and Superconducting FeySe1-xTex thin films were fabricated by using Radio Frequency (RF) sputtering.Their structural properties were anaysed by XRD, texture XRD, SEM, MPMS and XRF. 59.543 keV gamma photons emitted by an annular 50 mCi 241Am radioactive sources were used to excite the K and L shells of the sample, respectively. The K and L X-ray emitted from the samples were counted by an Ultra-LEGe detector with a resolution of 150 eV at 5.9 keV. The obtained values were compared with theoretically calculated values and the other theoretic, semi-empirical and empirical values in the literature. The differences between these values were explained according to chemical effect and multiply ionization effect.