Özet:
Bu çalışmada Katıhal Tepkime Yöntemi kullanılarak MgB2 süperiletkenine %5, %10 ve %20 oranlarında SiC katkılaması yapılarak, katkısız ve katkılı olmak üzere dört tane MgB2 numunesi üretildi. Homojen bir yapı elde edebilmek için numuneler 8bar'lık Ar gazı basıncında iki kez ısıl işleme tabi tutuldu. Ayrıca numunelerde meydana gelebilecek iç gerilmeyi engelleyebilmek ve yeterli derecede kristalleşmenin oluşabilmesi için ısıl işlem sonrası soğuma süreci düşük hızda gerçekleştirildi. Üretilen bu numunelerin yapısal ve manyetik özellikleri XRD analizi, yoğunluk ölçüm düzeneği, taramalı elektron mikroskobu ve PPMS sistemi kullanılarak yapıldı.Yapılan ölçüm sonuçlarından SiC katkısının MgB2 süperiletkeninin kritik akım yoğunluğunda artışa, az da olsa kritik sıcaklık değerinde düşüşe sebep olduğu görüldü. %5 SiC katkısının en iyi katkılama oranı olduğu anlaşıldı.
In this study, using the Solid State Reaction Method was doped SiC rates of 5%, 10% and 20% in MgB2 superconductor, pure and SiC-doped samples were produced by four. In order to obtain a homogeneous structure the samples were subjected to heat treatment twice under pressure of 8bar Ar gas. In addition, the internal stress that may occur in samples to prevent and adequately crystallization to form the cooling process after heat treatment was performed at low speed. Structural and magnetic properties of these samples produced were performed with XRD analysis, density measurement apparatus, scanning electron microscopy and PPMS system.The results of measuring the critical current density increase in the SiC-doped MgB2, was caused by a slight decline in the value of the critical temperature. Doping was realized that the best contribution rate of 5% SiC.
